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MOSFET場(chǎng)效應管的基本知識

          1.G柵極 D漏極 S源極 這圖里面的MOS管是N溝道的，工作原理:只要G上的電壓比S上的電壓大5-6V，MOS管就開(kāi)始導通，就有電流從S流向D.2.G接高低電平（確切說(shuō)是驅動(dòng)電壓），D接電源（高電位），S接下面的負載或低電位。3.可以控制的開(kāi)關(guān)電路*大電壓是多少取決于MOSFET的*高耐壓值，耐壓值有多大，就能控制多大電壓的電路。
          2.功率MOSFET的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì )有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì )將其下面P區中的空穴推開(kāi)，而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區表面 當UGS大于UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。
 
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