LDO即low dropout regulator,是一種低壓差線(xiàn)性穩壓器。這是相對于傳統的線(xiàn)性穩壓器來(lái)說(shuō)的。傳統的線(xiàn)性穩壓器,如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5V轉3.3V,輸入與輸出之間的壓差只有1.7v,顯然這是不滿(mǎn)足傳統線(xiàn)性穩壓器的工作條件的。針對這種情況,芯片制造商們才研發(fā)出了LDO類(lèi)的電壓轉換芯片。
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中文名
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LDO
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外文名
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Low Dropout Regulator
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四大要素
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壓差,噪音,電源抑制比,靜態(tài)電流
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釋 義
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一種低壓差線(xiàn)性穩壓器
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構 成
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啟動(dòng)電路、恒流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源等
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生產(chǎn)廠(chǎng)家
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TOREX,SII,ROHM,RICOH等
目錄
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1 基本含義
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2 主要區別
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3 結構
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4 工作原理
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5 生產(chǎn)廠(chǎng)家
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6 四大要素
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7 工作條件
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8 應用
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9 實(shí)例
LDO 是一種線(xiàn)性穩壓器,使用在其飽和區域內運行的晶體管或場(chǎng)效應管(FET),從應用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調節的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的*小值。正輸出電壓的LDO(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體管(也稱(chēng)為傳遞設備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線(xiàn)性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備,其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類(lèi)似。
更新的發(fā)展使用 MOS 功率晶體管,它能夠提供*低的壓降電壓。使用 功率MOS,通過(guò)穩壓器的**電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小,這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。
DC-DC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換),只要符合這個(gè)定義都可以叫DC-DC轉換器,包括LDO。但是一般的說(shuō)法是把直流變(到)直流由開(kāi)關(guān)方式實(shí)現的器件叫DC-DC。
LDO是低壓降的意思,這有一段說(shuō)明:低壓降(LDO)線(xiàn)性穩壓器的成本低,噪音低,靜態(tài)電流小,這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。它需要的外接元件也很少,通常只需要一兩個(gè)旁路電容。新的LDO線(xiàn)性穩壓器可達到以下指標:輸出噪聲30μV,PSRR為60dB,靜態(tài)電流6μA(TI的TPS78001達到Iq=0.5uA),電壓降只有100mV(TI量產(chǎn)了號稱(chēng)0.1mV的LDO)。 LDO線(xiàn)性穩壓器的性能之所以能夠達到這個(gè)水平,主要原因在于其中的調整管是用P溝道MOSFET,而普通的線(xiàn)性穩壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動(dòng)的,不需要電流,所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面,采用PNP晶體管的電路中,為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力, 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低;而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導通電阻的乘積。由于MOSFET的導通電阻很小,因而它上面的電壓降非常低。
如果輸入電壓和輸出電壓很接近,*好是選用LDO穩壓器,可達到很高的效率。所以,在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說(shuō)電池的能量*後有百分之十是沒(méi)有使用,LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時(shí)間較長(cháng),同時(shí)噪音較低。
如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近,就要考慮用開(kāi)關(guān)型的DCDC了,因為從上面的原理可以知道,LDO的輸入電流基本上是等于輸出電流的,如果壓降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。
DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大電流、靜態(tài)電流小。隨著(zhù)集成度的提高,許多新型DC-DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是,這類(lèi)電源控制器的輸出脈動(dòng)和開(kāi)關(guān)噪音較大、成本相對較高。
近幾年來(lái),隨著(zhù)半導體技術(shù)的發(fā)展,表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低,體積越來(lái)越小。由于出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。例如對于3V的輸入電壓,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次,對于中小功率的應用,可以使用成本低小型封裝。另外,如果開(kāi)關(guān)頻率提高到1MHz,還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能,如軟啟動(dòng)、限流、PFM或者PWM方式選擇等。
總的來(lái)說(shuō),升壓是一定要選DCDC的,降壓,是選擇DCDC還是LDO,要在成本,效率,噪聲和性能上比較。
LDO是一種微功耗的低壓差線(xiàn)性穩壓器,它通常具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。
LDO是新一代的集成電路穩壓器,它與三端穩壓器*大的不同點(diǎn)在于,LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(SoC)。它可用于電流主通道控制,芯片上集成了具有極低線(xiàn)上導通電阻的MOSFET,肖特基二極管、取樣電阻和分壓電阻等硬件電路,并具有過(guò)流保護、過(guò)溫保護、精密基準源、差分放大器、延遲器等功能。PG是新一代LDO,具各輸出狀態(tài)自檢、延遲**供電功能,也可稱(chēng)之為Power Good,即“電源好或電源穩定”。
LDO低壓差線(xiàn)性穩壓器的結構主要包括啟動(dòng)電路、恒流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò )和保護電路等?;竟ぷ髟硎沁@樣的:系統加電,如果使能腳處于高電平時(shí),電路開(kāi)始啟動(dòng),恒流源電路給整個(gè)電路提供偏置,基準源電壓快速建立,輸出隨著(zhù)輸入不斷上升,當輸出即將達到規定值時(shí),由反饋網(wǎng)絡(luò )得到的輸出反饋電壓也接近于基準電壓值,此時(shí)誤差放大器將輸出反饋電壓和基準電壓之間的誤差小信號進(jìn)行放大,再經(jīng)調整管放大到輸出,從而形成負反饋,保證了輸出電壓穩定在規定值上,同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化,這個(gè)閉環(huán)回路將使輸出電壓保持不變,即:Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
實(shí)際的低壓差線(xiàn)性穩壓器還具有如負載短路保護、過(guò)壓關(guān)斷、過(guò)熱關(guān)斷、反接保護等其它的功能。
如右圖1所示,該電路由串聯(lián)調整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成。
取樣電壓加在放大器A的反相輸入端,與加在同相輸入端的基準電壓Uref相比較,兩者的差值經(jīng)放大器A放大后,控制串聯(lián)調整管的壓降,從而穩定輸出電壓。當輸出電壓Uout降低時(shí),基準電壓與取樣電壓的差值增加,比較放大器輸出的驅動(dòng)電流增加,串聯(lián)調整管壓降減小,從而使輸出電壓升高。相反,若輸出電壓Uout超過(guò)所需要的設定值,比較放大器輸出的前驅動(dòng)電流減小,從而使輸出電壓降低。供電過(guò)程中,輸出電壓校正連續進(jìn)行,調整時(shí)間只受比較放大器和輸出晶體管回路反應速度的限制。
應當說(shuō)明,實(shí)際的線(xiàn)性穩壓器還應當具有許多其它的功能,比如負載短路保護、過(guò)壓關(guān)斷、過(guò)熱關(guān)斷、反接保護等,而且串聯(lián)調整管也可以采用MOSFET。
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi,Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI,ACE,ADI,ST等;
壓差Dropout、噪音Noise、電源抑制比(PSRR)、靜態(tài)電流Iq,這是LDO的四大關(guān)鍵數據。
產(chǎn)品設計師按產(chǎn)品負載對電性能的要求結合四大要素來(lái)選擇LDO。
在手機上用的LDO要求盡可能小的噪音(紋波),在沒(méi)有RF的便攜式產(chǎn)品需求靜態(tài)電流小的LDO。
Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要兩個(gè)外接電容:Cin、Cout,一般采用鉭電容或MLCC。
注意:LDO是穩壓器。
LDO的應用非常簡(jiǎn)單,很多LDO僅需在輸入端及輸出端各接一顆電容即可穩定工作。在LDO的應用中需要考慮壓差、靜態(tài)電流、PSRR等重要參數。在以電池作為電源的系統中,應當選擇壓差盡量低的LDO,這樣可以使電池更長(cháng)時(shí)間為系統供電,比如NCP600,NCP629等等。
靜態(tài)電流Iq是Iquiescent的縮寫(xiě),指芯片自身所消耗的電流。在一些低功耗應用中,應當盡量選擇Iq小的LDO。一些工程師在設計低功耗系統時(shí),僅考慮MCU本身消耗的電流,而忽略電源芯片上所消耗的電流,使整個(gè)系統的待機功耗不能達標,曾經(jīng)見(jiàn)過(guò)有的工程師在低功耗系統中選用78L05為MCU提供電源,查閱數據手冊可以得知78L05靜態(tài)電流為1mA,不適合低功耗應用,應該選擇NCP583等等。
在射頻、音頻、ADC轉換等應用系統中,PSRR(電源紋波抑制比)是一個(gè)很重要的參數,其體現了LDO的抗噪能力,PSRR值越高LDO輸出紋波越低。下面列出了LDO的一些重要特性及應用方向。
不同電壓輸出級別的應用領(lǐng)域
電壓輸出級別
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應用領(lǐng)域
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1.25V
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ARM9,FPGA、DSP等
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1.8V
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SDRAM,DDR RAM等
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2.5V
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MCU,DDR RAM等
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3.0V
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MCU,Nor Flash,Nand Flash,其他各種接口器件等
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300 mA的LDO穩壓器降壓穩壓器電路 [1]
LDO特性及應用方向
特性
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應用方向
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超低紋波,高精度
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數據采集
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低壓差
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電池供電
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低靜態(tài)電流
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低功耗場(chǎng)合,如手持儀表
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電壓監控
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嵌入系統電源管理
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復位控制
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工業(yè)控制
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多通道輸出
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需要多路供電的嵌入式系統
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降壓穩壓器的高開(kāi)關(guān)頻率允許使用纖巧多層外部元件,并*大限度地減少了電路板空間。當MODE引腳設置為高,降壓穩壓器工作在強制PWM模式。當MODE引腳置低,降壓穩壓器工作在PWM模式下,當負載是圍繞面值。當負載電流低于預定的閾值時(shí),穩壓器工作在省電模式(PSM提高輕負載效率)。